中国企业自主研发的内存芯片:近日首次亮相美国

韩国媒体报道,中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片近日将在美国硅谷首次公开亮相,宣布进军市场。

韩媒报道,清华紫光的子公司长江存储(YMTC)近日将出席美国相关会议,并在会议上公开32层、64层3D NAND。

YMTC透露新产品将使用3D NAND架构创新技术Xtacking,可以有效提升数据处理速度,32层产品下半年进行试产。

中国企业自主研发的内存芯片:近日首次亮相美国

报道指出,YMTC计划在武汉工厂进行芯片试产,而后会在南京建厂,从明年开始逐渐提升产量,未来NAND会降价。

我们知道,目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品,因此业界普遍认为韩国在企业技术水平上领先中国三年。

中国企业自主研发的内存芯片:近日首次亮相美国

尽管如此,韩国还在积极扩散规模和努力留住人才,以此对抗中国企业的崛起,阻止中国企业挖走韩企半导体人才。

日前就曾出现过韩国地方法院禁止三星前员工跳槽中国公司的事情,如果不履行义务需每天向三星赔偿1000万韩元。

文章来源:栋科技
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